硅晶閘管自20世紀50年代問世以來，經過功率半導體器件研究者的不懈努力，已經取得了令人矚目的成就。硅晶閘管從普通晶閘管(PCT)逐漸發展到門極可關斷晶閘管(GTO)、集成門極換向晶閘管(IGCT)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和MOS柵控晶閘管(MCT、BRT、EST)。晶閘管因其高電壓和大電流而在許多電力電子系統中起著重要的作用。
隨著功率集成技術、新材料和新工藝的不斷進步和成熟，科技人員利用陶瓷覆銅(DCB)技術將晶閘管及其移相觸發電路、自動調節電路和SMT表面貼裝技術結合起來，融為一體，使其具有功率調節和自動控制的功能。業內人士稱之為晶閘管智能控制模塊，外形如圖1所示。
2結構、參數、分類和應用領域
晶閘管智能控制模塊按用途一般分為通用模塊和模塊。通用模塊一般指整流模塊、交流模塊等。這些模塊包括充放電模塊、電機軟啟動模塊等。
通用模塊由晶閘管主電路、移相觸發電路和保護電路組成，具有功率調節和過熱、過壓、過流保護功能。它的可靠性、穩定性和智能性都很高，但體積并不大。采用DCB技術，銅箔在高溫下直接鍵合在氧化鋁或氮化鋁陶瓷基板表面，采用先進的焊接技術，使模塊的隔離電壓達到2.5kV以上，保證了模塊的熱阻低、熱循環次數多、使用壽命長。