碳化硅SiC的能帶隙是硅的2.8倍(寬帶隙)，達到3.09電子伏。其絕緣擊穿場強是硅的5.3倍，高達3.2MV/cm。，其熱導率是硅的3.3倍，為49 w/cm.k。
像硅半導體材料一樣，它可以制成結型器件、場效應器件，以及與金屬和半導體接觸的肖特基二極管。
其優點是:
(1)碳化硅單載流子器件的漂移區薄，通態電阻小。比硅器件小100-300倍。由于導通電阻小，碳化硅功率器件的正向損耗也小。
(2)碳化硅功率器件由于擊穿電場高，擊穿電壓高。比如商用硅肖特基的電壓不到300V，而幾個商用碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已經達到了600V..
(3)碳化硅具有高熱導率，因此碳化硅功率器件具有低結-環境熱阻。
(4)碳化硅器件可以在高溫下工作，碳化硅器件一直工作在600？c，而硅器件的工作溫度只有150？C.
(5)碳化硅抗輻射能力強。
(6)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時間變化很小，可靠性好。
(7)碳化硅器件具有良好的反向恢復特性，反向恢復電流低，開關損耗低。碳化硅功率器件可以工作在高頻(20KHz)。
(8)碳化硅器件在減小功率器件體積、降低電路損耗方面做出了重要貢獻。
碳化硅肖特基二極管的應用
SiC肖特基二極管主要應用于混合電源、光伏逆變器、礦機電源、焊機和充電樁。
碳化硅肖特基二極管(SiCSBD)是一種單極器件，采用結勢壘肖特基二極管結構(JBS)。因此，與傳統的硅快恢復二極管(SiFRD)相比，碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復特性。它能有效降低反向漏電流，并具有較好的耐高壓性能。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數，電阻隨著溫度的升高逐漸增大，與硅FRD正好相反。這使得碳化硅肖特基二極管非常適合并聯，增加了系統的安全性和可靠性。當器件從正向切換到反向阻斷時，幾乎沒有反向恢復電流，反向恢復時間小于20ns， 即使是600V10A碳化硅肖特基二極管的反向恢復時間也小于10ns。因此，碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有更高的效率。