閃存是一種電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,與傳統的EEPROM相比,它能夠在字節水平上進行刪除和重寫,而不是按區塊擦寫。由于閃存能夠在更短的時間內完成數據傳輸,因此其更新速度比EEPROM更快,被廣泛應用于移動設備、智能卡、數據庫管理系統等領域。
DDR2 SDRAM是JEDEC(電子設備工程聯合會)開發的一種新型內存技術標準,與上一代DDR內存技術標準相比,它具有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力。DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數據,并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。這種內存技術標準的推出,大大提高了內存的讀取速度和效率,使得內存條的容量更大。
內存芯片是電路板上貼的一塊塊黑色的存儲單元,顆粒個數越多,內存條的容量越大。內存條規格包括DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4以及更老的SDRAM內存。其中,DDR內存指的是Double Data Rate SDRAM,是一種在時鐘的上升/下降延同時進行數據傳輸的內存技術,人們習慣稱為DDR。而DDR SDRAM則是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的,因此對于內存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設備進行改進,即可實現DDR內存的生產,有效降低成本。