IGBT絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET輸入阻抗高和GTR導通壓降低的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。IGBT非常適合DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1示出了N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構。N+區域被稱為源極區域， 附著在其上的電極稱為源極。N+區域被稱為漏極區域。器件的控制區是柵極區，附著其上的電極稱為柵極。溝道形成在柵極區域的邊界附近。漏極和源極之間的P型區(包括P+和P-1區)(該區形成溝道)稱為子溝道區，而漏極區另一側的P+區稱為漏注入區，這是IGBT特有的功能區。它與漏極區和子溝道區一起構成PNP雙極晶體管，作為發射極，向漏極注入空穴，進行導通調制，降低器件的導通狀態。連接到漏極注入區的電極稱為漏極。IGBT的開關功能是通過增加正向柵極電壓來形成溝道， 并為PNP晶體管提供基極電流以開啟IGBT。相反，增加反向柵極電壓以消除溝道，切斷基極電流并關閉IGBT。IGBT的驅動方式與MOSFET基本相同，只需要控制輸入電極N溝道MOSFET，因此具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N層的空穴(少數載流子)中，調制N層的電導，降低N層的電阻，使IGBT在高電壓下具有較低的通態電壓。
儲存中的注意事項
一般來說，存放IGBT模塊的地方應保持正常的溫度和濕度，不應偏離太多。正常溫度5 ~ 35℃，正常濕度45 ~ 75%左右。冬天特別干燥的地區，要用加濕器加濕；盡量遠離腐蝕性氣體或灰塵較多的地方；
溫度變化劇烈的地方IGBT模塊表面可能有露水凝結，所以IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方；保管時，注意不要在IGBT模塊上堆放重物；帶有IGBT模塊的容器應該是沒有靜電的容器。
在安裝或更換IGBT模塊時，我們應該非常重視IGBT模塊和散熱器之間的接觸面狀態和緊固程度。為了降低接觸熱阻，散熱器和IGBT模塊之間涂有導熱硅脂。一般情況下，散熱片底部安裝有冷卻風扇。當冷卻風扇損壞時，散熱片散熱不良，會導致IGBT模塊發熱而失效。因此，應該定期檢查冷卻風扇。一般情況下，溫度傳感器安裝在散熱片上的IGBT模塊附近，當溫度過高時，它會報警或停止IGBT模塊的工作。