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    公司新聞
    晶閘管損壞原因判別區分-可控硅損壞原因分析判斷
    2023-07-01IP屬地 湖北48

      當晶閘管損壞需要檢查分析時,可將鐵芯從冷卻套中取出,打開芯盒后取出芯片,觀察損壞痕跡,確定原因。以下是對幾種常見現象的分析。

      1.電壓擊穿。晶閘管因為承受不了電壓而損壞,其芯片上有一個光滑的孔,有時需要用放大鏡才能看到。原因可能是燈管本身的耐壓下降或者電路斷開時被高壓擊穿。

      2.電流被破壞了。電流損傷的痕跡表現為芯片被燒成凹坑,凹坑粗糙,位置遠離控制電極。

      目前的上升率受損。其跡線和電流損壞,在控制電極附近或上。

      3.邊緣受損。發生在芯片外圓倒角處,有小而光滑的孔。用放大鏡可以看到倒角面上有細小的金屬劃痕。這是由于制造商安裝不小心造成的。會導致電壓擊穿。

     
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