IGBT模塊的優勢及發展前景
2021年，當世界仍存在巨大的變數時，經濟預期趨于保守和謹慎，但我們仍有理由對IGBT的發展持樂觀態度。IGBT是IGBT的簡稱。它是傳統雙極結型晶體管(BJT)和場效應晶體管(MOSFET)的交叉點，是半導體開關器件的理想選擇。
IGBT晶體管是這兩種常見晶體管的一部分，MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，它們結合在一起產生另一種晶體管開關器件，可以處理大的集電極-發射極電流，幾乎零柵極電流驅動。
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結合了MOSFET的絕緣柵技術和傳統雙極晶體管的輸出性能特性。這種混合組合的結果是，IGBT晶體管具有雙極晶體管的輸出開關和導通特性，但它像MOSFET一樣受電壓控制。
IGBT主要用于電力電子領域，如逆變器、變換器和電源，但功率雙極晶體管和功率mosfet不能完全滿足固態開關器件的要求。大電流高壓雙極晶體管都有，但是開關速度很慢，而功率mosfet可能開關速度更高，但是高壓大電流器件價格昂貴，實現困難。
與BJT或MOSFET相比，絕緣柵雙極晶體管器件的優點是它提供了比標準雙極晶體管更大的功率增益，并且MOSFET具有更高的工作電壓和更低的輸入損耗。事實上，它是一個集成了雙極晶體管的場效應晶體管。
隨著電子和半導體工業的發展，IGBT和晶閘管市場也在發展。IGBT模塊用于電動汽車和混合動力汽車，因為它們需要比傳統工業應用更高的可靠性。與其他系統相比，IGBT模塊可靠性的提高是促進IGBT和晶閘管市場增長的主要因素?，F在汽車工業正在經歷從傳統汽車到電動汽車的重大轉變。各國都在采取措施增加電動汽車的使用，因為電動汽車的環保特性可能會刺激IGBT和晶閘管市場。
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