因為IGBT模塊是MOSFET結構，IGBT的柵極通過氧化膜與發射極電隔離。由于這種氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20 ~ 30 V，因此靜電引起的柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此，在使用中要注意以下幾點:使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子，需要觸摸模塊端子時，應先將人體或衣服上電阻較大的靜電放電后再觸摸；當用導電材料連接模塊驅動端子時，請不要在接線完成前連接模塊；盡量在底板接地良好的情況下操作。在應用中，雖然有時保證柵極驅動電壓不超過柵極的額定電壓， 柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的電容耦合也會產生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，通常使用雙絞線來傳輸驅動信號，以減少寄生電感。振蕩電壓也可以通過在柵極連接中串聯一個小電阻來抑制。另外，當柵極和發射極之間開路時，如果在集電極和發射極之間施加電壓，隨著集電極電位的變化，柵極電位會上升，集電極會有電流。此時，如果集電極和發射極之間有高電壓，IGBT可能會被加熱甚至損壞。使用IGBT時，當門極電路異?；驌p壞(門極處于開路狀態)時，如果主電路有電壓，IGBT就會損壞。為了防止這種錯誤， 應在柵極和發射極之間串聯一個約10KΩ的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，我們應該非常重視IGBT模塊和散熱器之間的接觸面狀態和緊固程度。為了降低接觸熱阻，散熱器和IGBT模塊之間涂有導熱硅脂。一般情況下，散熱片底部安裝有冷卻風扇。當冷卻風扇損壞時，散熱片散熱不良，會導致IGBT模塊發熱而失效。因此，應該定期檢查冷卻風扇。一般情況下，溫度傳感器安裝在散熱片上的IGBT模塊附近，當溫度過高時，它會報警或停止IGBT模塊的工作。
IGBT絕緣柵雙極晶體管是由BJT(雙極晶體管)和MOS(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET輸入阻抗高和GTR導通壓降低的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。IGBT非常適合DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1示出了N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構。N+區域被稱為源極區域， 附著在其上的電極稱為源極。N+區域被稱為漏極區域。器件的控制區是柵極區，附著其上的電極稱為柵極。溝道形成在柵極區域的邊界附近。漏極和源極之間的P型區(包括P+和P-1區)(該區形成溝道)稱為子溝道區，而漏極區另一側的P+區稱為漏注入區，這是IGBT特有的功能區。它與漏極區和子溝道區一起構成PNP雙極晶體管，作為發射極，向漏極注入空穴，進行導通調制，降低器件的導通狀態。連接到漏極注入區的電極稱為漏極。IGBT的開關功能是通過增加正向柵極電壓來形成溝道， 并為PNP晶體管提供基極電流以開啟IGBT。相反，增加反向柵極電壓以消除溝道，切斷基極電流并關閉IGBT。IGBT的驅動方式與MOSFET基本相同，只需要控制輸入電極N溝道MOSFET，因此具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N層的空穴(少數載流子)中，調制N層的電導，降低N層的電阻，使IGBT在高電壓下具有較低的通態電壓。