IGBT的工作原理
IGBT由三極控制:柵極(G)、發射極(E)和集電極(C)。如圖1所示，IGBT的開關作用是通過施加正向柵極電壓形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。相反，增加反向柵極電壓以消除溝道，切斷基極電流并關閉IGBT。從圖2可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間施加正驅動電壓，MOSFET導通，使得PNP晶體管的集電極和基極處于低阻狀態，晶體管導通；如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓為0V，則MOSFET關斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。
