用萬用表測量的方法如下:
1.T2極的確定:用萬用表在R*1或R*100檔測量各引腳的反向電阻。如果兩個引腳的反向電阻非常小(約100歐姆)，則是t 1和G極，剩下的一個是T2極。
2.T1和G極的區分:假設這兩個極一個是T1，一個是G，將萬用表設在R*1，用兩個探針(不分正負極)分別接觸確定的T2極和假想的T1極，同時用探針接觸T1的方式接觸假想的G極，在保證假想的T1極不會接通的情況下斷開假想的G極，萬用表仍顯示on狀態。
3.交換探頭和筆，用同樣的方法測量。如果萬用表仍然顯示相同的結果，那么假設的T1和G極是正確的。如果在保證假設的T1極沒有斷開的情況下，假設的G極斷開，萬用表會顯示斷開狀態，說明假設的T1和G極是相反的，從新的假設開始測量，結果是正確的。
如果不能測出上述結果，則雙向可控硅壞了。這種方法雖然不能測出具體參數，但判斷是否可用是可行的。
雙向晶閘管的使用條件
(1)在外加電壓下，允許超過正向翻轉電壓，否則控制電極不起作用。
(2)可控硅的通態平均電流，從安全角度考慮，一般取1.5~2倍電流。
(3)為了保證控制電極的可靠觸發，加在控制電極上的觸發電流一般大于其量。此外，必須采取保護措施。過電流的保護措施一般是在電路中串聯一個快速熔斷器，其額定電流約為可控硅電流平均值的1.5倍。接入位置可在交流側或DC側，在交流側時額定電流較大。
一般多采用前者。過壓保護通常出現在有電感的電路中，或者交流側有干擾的浪涌電壓中，或者交流側瞬態過程產生的過壓中。由于過電壓峰值高、作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路來抑制。
晶閘管管，由四層半導體材料組成，有三個PN結和三個外電極(圖2(A)):P層半導體引出的電極稱為陽極A，P層半導體引出的電極稱為控制電極G，N層半導體引出的電極稱為陰極k，從晶閘管的電路符號可以看出[圖2 (b)]，它是一個類似二極管的單向導通器件，關鍵是增加了一個控制電極G，使其具有與二極管完全不同的工作特性。P1N1P2N2基于硅單晶的四層三端器件，始于1957年。由于其特性類似于真空閘流管，國際上稱為硅閘流管，縮寫為晶閘管T，又因其具有靜態整流作用，故又稱為可控硅整流元件，縮寫為可控硅。在性能上， SCR不僅具有單向導通性，還具有比硅整流器(俗稱“死硅”)更有價值的可控性。它只有兩種狀態:開和關。
可控硅整流器可以控制毫安級電流的大功率機電設備。如果超過這個功率，由于元件的開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流會降低。此時，標稱電流應該下降?？煽毓栌泻芏鄡烖c，比如:用小功率控制大功率，功率放大高達幾十萬倍；反應極快，微秒級開關；無觸點操作，無火花，無噪音；效率高，成本低等等。SCR的缺點:靜態和動態過載能力差；容易被干擾誤導?？煽毓枵髌骺煞譃槁菟ㄐ?、平板形和平底形?？煽毓柙慕Y構
不管可控硅的形狀如何，它們的管芯都是P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。參見圖1。它有三個PN結(J1、J2、JBOY3樂隊)，分別來自J1結構的P1層、陽極A、陰極K和控制電極G，所以它是一個四層三端半導體器件。
SCR結構示意圖和符號圖