IGBT模塊簡介
IGBT是絕緣柵雙極晶體管的縮寫。IGBT是由MOSFET和雙極晶體管組成的器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。它結合了這兩種器件的優點，既有MOSFET器件驅動功率低、開關速度快的優點，又有雙極器件飽和電壓低、容量大的優點。其頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內正常工作。它在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，并在高頻和中功率應用中占據主導地位。
IGBT的等效電路如圖1所示。從圖1可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間加一個正的驅動電壓，MOSFET就會導通，這樣PNP晶體管的集電極和基極就會處于低阻狀態，晶體管就會導通。如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓為0V，MOS關斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。像MOSFET一樣，IGBT也是一種壓控器件。在它的柵極和發射極之間加一個10 V以上的DC電壓，只有uA級的漏電流流過，基本不消耗功率。
