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  • PECVD化學氣相沉積系統 單晶生長爐 石墨烯薄膜制備爐

     
     
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    品牌 MICRO-X
    型號 MXG1200-PECVD
    過期 長期有效
    更新 2023-08-25 12:47
     

    科晶真空科技(蘇州)有限公司

    企業會員第3年
    聯系電話:15839810410 所在區域: 經營范圍:工程機械
    企業信息未認證
    詳細說明

    品牌:MICRO-X

    型號:MXG1200-PECVD

    類型:化學氣相沉積裝置

    用途:化學氣相沉積

    適用領域:科研

    外形尺寸:1250*860*1500mm

    重量:330kg


    MXGH1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

    產品簡介:此款設備配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

    主要功能和特點:

    1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相;

    2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量;

    3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率;

    4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

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    滑軌管式爐技術參數

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    石英管尺寸

    L1400mm ?Φ(60、80、100)

    加熱元件

    摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

    測溫元件

    K型熱電偶

    加熱區長度

    410mm ?

    恒溫區長度

    200mm

    工作溫度

    ≤1100℃

    控溫模式

    模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

    控溫精度

    ±1℃

    升溫速率

    ≤20℃/min

    電功率

    AC220V/50HZ/3KW

    質量供氣系統技術參數

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    外形尺寸

    600x600x600mm

    標準量程

    50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);

    壓力表測量范圍

    -0.1Mpa~0.15Mpa

    極限壓力

    3MPa

    針閥

    316不銹鋼

    截止閥

    Φ6mm 316不銹鋼針閥

    電功率

    AC220V/50HZ/20W

    響應時間

    氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

    準確度

    ±1.5%

    線性

    ±0.5~1.5%

    重復精度

    ±0.2%

    接口

    Φ6,1/4''

    真空系統技術參數

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    外型尺寸

    600×600×600mm

    工作電電壓

    220V±10% ?50~60HZ

    功率

    400W

    抽氣速率

    4L\s

    極限真空

    4X10-2Pa

    實驗真空度

    1.0X10-1Pa

    容油量

    1.1L

    進氣口口徑

    KF25

    排氣口口徑

    KF25

    轉速

    1450rpm

    射頻電源

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    信號頻率

    13.56 MHz±0.005%

    功率輸出范圍

    3W-300W ??5W-500W可選

    最大反射功率

    200W

    射頻輸出接口

    50 Ω, N-type, female

    功率穩定度

    ±0.1%

    諧波分量

    ≤-50dbc

    供電電壓

    單相交流(187V-253V)?頻率50/60HZ

    整機效率

    >=70%

    功率因素

    >=90%

    冷卻方式

    強制風冷

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