| 型號 | 3535 | 產地 | 深圳 |
| 封裝 | 玻璃封裝 | 批號 | 20200713 |
1301121901 | 加工定制 | 是 | |
| 功率 | 0.03-0.08w | 電壓 | 6-7V |
| 輸入電流 | 0.06A | 廠家 | 鑫業新光電 |
深圳市鑫業新光電有限公司成立于2010年，公司是一家集LED封裝及應用產品的研發、生產和銷售于一體的公司。產品制造過程采用凈化，抗靜電的國際標準設施封閉作業并且通過ISO9001質量管理體系認證。擁有業內的ASM全自動固晶、全自動焊線設備及全自動封膠設備，產品檢測選用臺灣多功能電腦自動分光分色設備處理。
21世紀照明工程正在開發的GaN類LED構造。要想提高LED的外部量子效率，減少LED中的結晶缺陷是關鍵。與不加工藍寶石底板的普通方法相比，LEPS技術（在沿（11—20）或（1—100）方面加工出道的藍寶石底板上形成GaN類LED的技術）可以減少約1/3的結晶缺陷。
使用于熒光燈及彩色電視接收機的熒光材料更容易吸收300nm附近的光。但是，在LED外部量子效率高的400nm 附近，將光轉換成綠色及藍色的熒光體材料的光吸收強度大約是峰值 2/3，而轉換成紅色光的熒光體材料的吸收強度只有約1/10。
在國家863計劃支持下，課題研究團隊集中開展了基于MOCVD的深紫外LED材料和器件研究工作，著重解決材料存在的表面裂紋、晶體質量差、鋁組分低、無法實現短波長發光和結構材料設計等問題，在一些關鍵技術方面取得了突破，獲得了高結晶質量無裂紋的高鋁組分材料。在此基礎上，課題在國內成功制備了300nm以下的深紫外LED器件，實現了器件的毫瓦級功率輸出，開發了深紫外殺菌模塊，經測試殺菌率達到95%以上。
當前，將400nm紫外LED用于白色LED所面臨的關鍵是如何開發由400nm附近的光激勵的熒光材料以及不會因這種光而出現性能惡化的封裝材料。
我們有著的資源優勢和完善科學的管理體系,根據客戶的需求,我們能提供合適的解決方案.因為,所以受到廣泛的好;因為志存高遠,所以我們不斷前進.
