PVD電弧離子技術鍍膜設備介紹
PVD電弧離子技術鍍膜設備是一種高效、無污染的離子鍍膜設備，具有沉積速度快、離化率高、離子能量大、設備操作簡單、成本低、生產量大的優點。
PVD電弧離子技術鍍膜設備主要應用于材料科學和機械工程領域，通過在真空狀態下注入氬氣，使氬氣樁基靶材分離成分子，并被導電的貨品吸附，從而形成一層均勻光滑的表面層。這種設備屬于物理沉積現象，常見的類型包括多弧離子鍍膜設備、直流磁控濺射鍍膜設備和中頻磁控濺射鍍膜設備等。
設備的技術指標包括最高沉積溫度可達500℃，配備有4個電弧靶、1個離子源和2個磁控靶，以及1個HIPPMIS。PVD電弧離子技術鍍膜設備能夠制備PVD涂層鍍膜，廣泛應用于各種材料的表面處理，如金色氮化鈦、黑色碳化鈦、七彩氧化鈦、耐磨膜、超硬膜、金剛石膜、金屬裝飾膜等。
設備的電源類型多樣，包括直流電源、中頻電源、電弧電源、燈絲電源、活化電源和脈沖偏壓電源，滿足不同工藝需求。真空室結構采用立式前開門設計，具有雙層水套式或水槽式冷卻和后置抽氣系統。真空系統由機械泵、羅茨泵、擴散泵/分子泵和維持泵組成，確保了高真空環境。加熱系統可調可控溫度范圍從常溫至350度，采用不銹鋼加熱管加熱。充氣系統配備質量流量控制儀，可實現1-4路控制。設備的極限真空度達到6×10-4pa（空載、凈室），空載大氣抽至5×10-3pa小于13分鐘，保壓率1h≤0.6pa。工件旋轉方式支持上旋轉或下旋轉+公自轉變頻無級可控可調，轉速范圍0-20轉/分?？刂品绞桨ㄊ謩?/span>+半自動/觸摸屏+PLC，滿足不同操作需求。真空室尺寸可根據客戶產品及特殊工藝要求訂做。
