| 品牌 | gneuss | 型號 | DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P |
| 輸出信號 | 模擬型 | 材料物理性質 | 導體 |
| 材料晶體結構 | 單晶 | 材質 | 陶瓷 |
| 壓力類型 | 絕壓傳感器 | 測量范圍 | 低壓(0.01~1MPa) |
| 工作溫度 | -20...80℃ | 絕緣電阻 | 0Ω |
| 負載阻抗 | 0Ω | 允許過載 | 0.1%FS |
| 響應時間 | 0.01s | 額定功率 | 1W |
| 穩定性 | 0.1 | 電氣連接 | 0.1 |
| 壓力連接 | 0.1 | 靈敏度 | 1mV/V |
| 線性度 | 0.1%F.S. | 遲滯 | 0.1%F.S. |
| 重復性 | 0.1≤%F.S | 是否進口 | 是 |
| 數量 | 10 | 封裝 | 金屬 |
209283493 | 廠家 | gneuss |
gneuss DAI-2E2-12A-B10Z-S0-F5-R-W-6P進口熔體傳感器
DAI - 帶有集成放大器的熔體傳感器
除了的可靠性之外，DAI 系列還以用于本地或遠程配置的自動歸零功能的形式提供了改進的用戶友好性。
這些型號提供 mA 和 mV 輸出信號以供進一步處理。流行和最常用的 2 線和 4-20mA 配置在關鍵環境中提供的干擾。
長距離抗干擾信號
穩定的輸出信號
不會因錯誤的接線配置而造成損壞
3 線和 4 線技術可使用
可應用高達 400°C (750°F) 的過程介質
標準 G 涂層以抵消粘性材料
通過新的膜技術獲得的可靠性
電源：19…32 VDC
輸出信號：0…10 V； 0…20 毫安； 4…20 mA（參見訂單規格）
校準點：測量范圍的 80 %
準確度：0.50 % FSO 分別為 0.25 % FSO（參見訂單規格）
過載：量程的 150%
零偏差與
溫度變化
在膜上:: 0,003 % 從最終值/°C
零偏差與
溫度變化
在測量頭上：0.003 % 從最終值/°C
溫度在
膜：300°C，NTX 填充（W）
400°C 含汞 (M)
500°C，NaK 填充 (N)
。 溫度在
測量頭：85 °C
EMC：電磁干擾和電磁敏感性
根據 EN 61326
防護等級：IP 55
