| 品牌 | ixys | 型號 | MDD系列 |
| 半導體材料 | 硅 | 管腳引出方式 | 其他 |
| 內部結構 | 雙管/對管 | 封裝方式 | 其他 |
| 產地 | 德國 |
PIN型二極管（PIN Diode）
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入"本征"區，而使"本征"區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。
雪崩二極管(Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振蕩的晶體管。產生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那么，在電流和電壓關系上就會出現負阻效應，從而產生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。
江崎二極管（Tunnel Diode）
它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡并態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡并半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比IP/PV），其中，下標"P"代表"峰"；而下標"V"代表"谷"。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關電路中。
快速關斷（階躍恢復）二極管(Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成"自助電場"。由于PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"后才能降至小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路?？焖訇P斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。
肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發光二極管。
可作為續流二極管，在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起續流作用。
阻尼二極管
阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。
瞬變電壓抑制二極管
TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。
雙基極二極管（單結晶體管）
兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。
發光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠、藍單色光。隨著技術的進步，近來研制成了白光高亮二極管，形成了LED照明這一新興產業。 還用于VCD、DVD、計算器等顯示器上。
硅功率開關二極管
硅功率開關二極管具有高速導通與截止的能力。它主要用于大功率開關或穩壓電路、直流變換器、高速電機調速及在驅動電路中作高頻整流及續流箝拉,具有恢復特性軟、過載能力強的優點、廣泛用于計算機、雷達電源、步進電機調速等方面。
