二極管種類：PIN二極管（P-intrinsic-N Diode）PN之間一層高電阻的半導體層，使少數載子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質，TOS二極管*，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管應用于低功率微波振蕩器。交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，TOS二極管*，實際的構造，TOS二極管*、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。TOS二極管*
極管限幅電路及故障處理：二極管基本的工作狀態是導通和截止兩種，利用這一特性可以構成限幅電路。所謂限幅電路就是限制電路中某一點的信號幅度大小，讓信號幅度大到一定程度時，不讓信號的幅度再增大，當信號的幅度沒有達到限制的幅度時，限幅電路不工作，具有這種功能的電路稱為限幅電路，利用二極管來完成這一功能的電路稱為二極管限幅電路。是二極管限幅電路。在電路中，A1是集成電路（一種常用元器件），VT1和VT2是三極管（一種常用元器件），R1和R2是電阻器，VD1～VD6是二極管。臺州超快恢復二極管作用二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。
二極管小實驗在電子電路中，將二極管的正極(P區)接在高電位端，負極(N區)接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值(這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V)以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變(鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V)，稱為二極管的“正向壓降”。將二極管的正極(P區)接在低電位端，負極(N區)接在高電位端，此時二極管中幾乎沒有電流流過，此時二極管處于截止狀態，這種連接方式，稱為反向偏置。二極管處于反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極管，稱為漏電流。當二極管兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極管將失去單方向導電特性，此時二極管被擊穿,這就是二極管的反向擊穿特性。
二極管的起源早在20世紀40年代，人們就開始利用金屬-半導體接觸的單向導電性，當時將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點接觸型二極管，將這種較簡單的半導體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術可在半導體表面形成大面積的金屬-半導體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導體二極管，習慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成 這里需要對陰極金屬與重摻雜的N 層之間的接觸進行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導體的功函數之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。
二極管種類：激光二極管當LED產生的光是頻寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管光線射入PN接面，P區電洞、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管1957年發明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內順向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是能耐受核輻射的半導體二極管。開關二極管：開關二極管是二極管的一種。TOS二極管*
二極管在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。TOS二極管*
二極管的電路分析：（1）從電路中可以看出3只二極管串聯，根據串聯電路特性可知，這3只二極管如果導通會同時導通，如果截止會同時截止。（2）根據二極管是否導通的判斷原則分析，在二極管的正極接有比負極高得多的電壓，無論是直流還是交流的電壓，此時二極管均處于導通狀態。從電路中可以看出，在VD1正極通過電阻R1接電路中的直流工作電壓 V，VD3的負極接地，這樣在3只串聯二極管上加有足夠大的正向直流電壓。由此分析可知，3只二極管VD1、VD2和VD3是在直流工作電壓 V作用下導通的。（3）從電路中還可以看出，3只二極管上沒有加入交流信號電壓，因為在VD1正極即電路中的A點與地之間接有大容量電容C1，將A點的任何交流電壓旁路到地端。TOS二極管*
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